MB85RC512LYPN-G-AME1

MB85RC512LYPN-G-AME1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 512 Kbits

La mémoire vive ferroélectrique (FRAM) MB85RC512LYPN-G-AME1 de RAMXEED est une mémoire haute performance de 512 kbits conçue pour les applications exigeant une mémoire non volatile à haute vitesse d'écriture, grande endurance et faible consommation d'énergie. Cette solution de mémoire avancée est idéale pour les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les applications aérospatiales où l'intégrité et la fiabilité des données sont essentielles.

Principales caractéristiques et avantages

• Technologie FRAM 512 Kbits : mémoire non volatile avec une endurance en écriture pratiquement illimitée (10^14 cycles)
• Performances d'écriture rapides : enregistrement de données à haute vitesse sans délai d'écriture
• Faible consommation d'énergie : Idéal pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie
• Interface I2C : communication série standard pour une intégration facile
• Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés
• Qualité industrielle : Conçu pour les environnements exigeants avec des plages de températures étendues.

Applications

Idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations, l'enregistrement d'événements, la conservation des paramètres et la sauvegarde des données critiques des systèmes d'automatisation industrielle, des compteurs intelligents, des calculateurs automobiles, des équipements médicaux et des systèmes aérospatiaux.

Spécifications techniques

Documentation et assistance

Fiche technique complète, notes d'application et ressources de conception disponibles. Notre équipe d'ingénieurs vous accompagne à l'intégration de votre application.

Qualité et conformité

Conforme à la directive RoHS, traçabilité complète et garantie qualité RAMXEED. Adapté aux applications industrielles, automobiles, médicales et aérospatiales exigeant une longue durée de vie.

Produits et ressources connexes

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