MB85RC512LYPN-G-AMEWE1

MB85RC512LYPN-G-AMEWE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 512 Kbits

Le MB85RC512LYPN-G-AMEWE1 est un circuit intégré de mémoire vive ferroélectrique (FRAM) haute performance de 512 kbits fabriqué par RAMXEED. Cette solution de mémoire avancée combine les avantages du stockage non volatil avec la vitesse et l'endurance de la RAM, ce qui la rend idéale pour les applications critiques dans les domaines de l'automatisation industrielle, des systèmes automobiles, des dispositifs médicaux et des équipements aérospatiaux.

Principales caractéristiques et avantages

• Technologie FRAM non volatile : conserve les données sans alimentation, éliminant ainsi le besoin d’une batterie de secours.
• Haute endurance : Prend en charge un nombre pratiquement illimité de cycles de lecture/écriture (10^14 cycles typiques)
• Performances d'écriture rapides : vitesses d'écriture comparables à celles de la SRAM sans délai d'écriture.
• Faible consommation d'énergie : Idéal pour les applications alimentées par batterie et économes en énergie
• Fiabilité de qualité industrielle : Conçu pour les environnements difficiles et les plages de températures étendues
• Conditionnement en bande et bobine : Prêt pour l'assemblage automatisé et la production en grande série

Applications

Ce circuit intégré de mémoire FRAM est parfaitement adapté pour :

• Systèmes de contrôle industriel et automates programmables
• Calculateurs automobiles et enregistrement de données
• Dispositifs médicaux et de surveillance des patients
• Compteurs intelligents et systèmes de gestion de l'énergie
• applications aérospatiales et de défense
• Les appareils IoT nécessitant des mises à jour de données fréquentes

Spécifications techniques

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