MB85RC512LYPN-GS-AMEWE1

MB85RC512LYPN-GS-AMEWE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 512 Kbits

Le MB85RC512LYPN-GS-AMEWE1 est un circuit intégré de mémoire vive ferroélectrique (FRAM) de 512 kbits haute fiabilité de RAMXEED, conçu pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce composant mémoire avancé offre une endurance supérieure, des vitesses d'écriture ultrarapides et une consommation d'énergie exceptionnellement faible par rapport aux solutions EEPROM et Flash traditionnelles, ce qui en fait le choix idéal pour les systèmes embarqués exigeants.

Caractéristiques principales :

• Capacité de mémoire FRAM de 512 Kbits avec une endurance en écriture pratiquement illimitée (10^14 cycles)
• Conditionnement professionnel en bande et bobine pour l'assemblage SMT automatisé et la production en grande série
• Traçabilité complète avec suivi des lots et certification de conformité RoHS/REACH intégrale
• Idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations, l'enregistrement d'événements et les applications de mémoire non volatile.
• Distribution agréée avec assistance technique complète et aide à l'intégration
• Performances d'écriture rapides sans délai - conservation instantanée des données
• Fonctionnement à faible consommation, idéal pour les systèmes alimentés par batterie et économes en énergie.

Spécifications techniques

Applications : Systèmes de vol aérospatiaux, calculateurs et systèmes ADAS automobiles, contrôleurs d'automatisation industrielle, équipements de diagnostic médical, infrastructures de télécommunications, systèmes de comptage intelligent, dispositifs périphériques IoT et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable avec une endurance en écriture et une rétention des données exceptionnelles.

Pourquoi choisir la technologie FRAM ? La FRAM combine les meilleurs atouts de la RAM et de la mémoire non volatile, offrant un accès aléatoire rapide avec une capacité d’écriture instantanée et sans mécanisme d’usure. Contrairement à la mémoire Flash ou EEPROM, la FRAM ne nécessite aucun délai d’écriture ni cycle d’effacement, ce qui la rend idéale pour les mises à jour fréquentes de données dans les systèmes temps réel.

Documentation et assistance : Fiches techniques complètes, notes d’application, schémas de référence et assistance technique complète sont à votre disposition. Contactez notre équipe d’ingénieurs expérimentés pour obtenir de l’aide à l’intégration, des programmes personnalisés, des tarifs dégressifs et des solutions de chaîne d’approvisionnement adaptées à vos besoins de production.

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