MB85RC512LYPNF-G-BCE1

MB85RC512LYPNF-G-BCE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 512 Kbits

Le MB85RC512LYPNF-G-BCE1 est un circuit intégré FRAM (mémoire vive ferroélectrique) de 512 kbits à haute fiabilité, fabriqué par RAMXEED. Ce circuit intégré de mémoire est conçu pour les applications nécessitant un stockage de données non volatiles avec des vitesses d'écriture rapides, une grande endurance et une faible consommation d'énergie.

Principales caractéristiques et avantages

• Haute fiabilité : la technologie FRAM offre une endurance supérieure à celle des mémoires EEPROM et Flash traditionnelles.
• Performances d'écriture rapides : Opérations d'écriture quasi instantanées sans délai
• Faible consommation d'énergie : Idéal pour les applications alimentées par batterie et économes en énergie
• Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales et réglementaires des marchés mondiaux
• Traçabilité complète : documentation intégrale de la chaîne d'approvisionnement et certification du fabricant
• Conditionnement en tubes : Emballage sécurisé pour les processus d’assemblage automatisés et d’intégration

Applications cibles

Ce circuit intégré de mémoire FRAM est idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, les systèmes de contrôle industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et autres applications critiques nécessitant un support à long terme et une fiabilité éprouvée.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir ce produit ?

En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants RAMXEED authentiques, avec une traçabilité complète du fabricant, une documentation de conformité (RoHS/REACH) et un engagement sur le long terme. Notre réseau de livraison mondial assure un acheminement fiable et une conformité transfrontalière pour répondre à vos exigences d'intégration.

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