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RAMXEED

MB85RC512TYPN-GS-AWE1

Prix habituel €5,95
Prix habituel Prix promotionnel €5,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €5,95 EUR €5,95 EUR
15+ €5,47 EUR €82,05 EUR
25+ €5,36 EUR €134,00 EUR
50+ €5,06 EUR €253,00 EUR
100+ €4,46 EUR €446,00 EUR
N+ €0,89 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

MB85RC512TYPN-GS-AWE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 512 Kbits

Authentique circuit intégré de mémoire RAM ferroélectrique (FRAM) RAMXEED MB85RC512TYPN-GS-AWE1 avec interface I2C, offrant un stockage non volatil haute vitesse pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications. Cette FRAM de 512 Kbits dispose d'une organisation mémoire de 64 K x 8, d'une fréquence d'horloge de 3,4 MHz et d'un temps d'accès de 130 ns, garantissant des performances fiables sur une large plage de températures allant de -40 °C à 125 °C.

Caractéristiques principales :

  • Capacité de mémoire FRAM de 512 Kbits (64 K x 8).
  • Interface série I2C pour une intégration facile
  • Temps d'accès ultra-rapide de 130 ns
  • Large plage de tension : 1,8 V à 3,6 V
  • Plage de température de fonctionnement étendue : -40 °C à 125 °C
  • Boîtier CMS 8-VDFN avec pastille exposée
  • Conforme à la directive RoHS

Applications : Automatisation industrielle, calculateurs automobiles, compteurs intelligents, dispositifs médicaux, enregistrement de données et systèmes critiques nécessitant une mémoire non volatile avec une endurance en écriture illimitée.

Garantie d'approvisionnement : Stock provenant d'un distributeur agréé, avec documentation complète du fabricant, traçabilité et garantie de longue durée. Toutes les unités sont expédiées dans leur emballage d'origine.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant RAMXEED
Gamme de produits
Conditionnement Plateau | Plateau
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire CADRE
Technologie FRAM (RAM ferroélectrique)
Taille de la mémoire 512 kbits
Organisation de la mémoire 64K x 8
Interface mémoire I2C
Fréquence d'horloge 3,4 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 130 ns
Tension - Alimentation 1,8 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-VDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-DFN (5x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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