MB85RC512TYPNF-G-BCERE1

MB85RC512TYPNF-G-BCERE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 512 Kbits

Le MB85RC512TYPNF-G-BCERE1 de RAMXEED est un circuit intégré de mémoire vive ferroélectrique (FRAM) de 512 kbits hautes performances, conçu pour les applications exigeant un stockage de données non volatiles offrant une endurance exceptionnelle et des vitesses d'écriture rapides. Cette solution de mémoire avancée combine les avantages des performances de la RAM avec la conservation non volatile des données, ce qui la rend idéale pour les systèmes automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Technologie FRAM 512 Kbits : mémoire non volatile avec une endurance en écriture pratiquement illimitée (10^13 cycles)
• Performances d'écriture rapides : enregistrement et stockage de données à haute vitesse sans délai d'écriture
• Faible consommation d'énergie : Fonctionnement écoénergétique pour les appareils portables et alimentés par batterie
• Interface I2C : communication série standard pour une intégration facile
• Conforme à la directive RoHS : fabrication respectueuse de l’environnement et sans plomb
• Large plage de températures de fonctionnement : performances fiables dans les environnements industriels difficiles
• Conditionnement en bande et bobine : format prêt pour la production et l'assemblage automatisé

Applications

Ce circuit intégré de mémoire FRAM est conçu pour les applications critiques, notamment les calculateurs automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, l'enregistrement de données pour dispositifs médicaux, les compteurs intelligents, les terminaux de point de vente et les équipements de télécommunications, où l'intégrité et la fiabilité des données sont primordiales.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir la RAMXEED FRAM ?

La technologie FRAM de RAMXEED offre une fiabilité et des performances supérieures aux solutions de mémoire EEPROM et Flash traditionnelles. Grâce à une capacité d'écriture instantanée, sans délai d'écriture et avec une endurance exceptionnelle, ce circuit intégré de mémoire garantit la protection de vos données critiques tout en préservant la réactivité du système.

Documentation complète de traçabilité et de conformité disponible. Contactez-nous pour obtenir des fiches techniques, des schémas de référence et une assistance technique afin d'accélérer votre processus d'intégration.

Ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de composants semi-conducteurs pour mémoire pour votre prochain projet. Consultez notre catalogue complet de solutions semi-conducteurs haut de gamme ou visitez notre blog technique pour des analyses sectorielles et des notes d'application.

• MB85RC512TYPNF-G-BCERE1.pdf