MB85RC64TAPNF-G-AME2
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €82.005,95 EUR | €82.005,95 EUR |
| 15+ | €75.445,47 EUR | €1.131.682,05 EUR |
| 25+ | €73.805,36 EUR | €1.845.134,00 EUR |
| 50+ | €69.705,06 EUR | €3.485.253,00 EUR |
| 100+ | €61.504,46 EUR | €6.150.446,00 EUR |
| N+ | €12.300,89 EUR | Price Inquiry |
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MB85RC64TAPNF-G-AME2 - Circuit intégré de mémoire FRAM 64 Kbits
Le MB85RC64TAPNF-G-AME2 est un circuit intégré de mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) 64 Kbits hautes performances de RAMXEED, offrant un stockage de données non volatiles avec une endurance exceptionnelle et des vitesses d'écriture rapides. Ce composant de qualité industrielle est doté d'une interface I2C fonctionnant à 3,4 MHz, ce qui le rend idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications exigeant des solutions de mémoire fiables et à longue durée de vie.
Principales caractéristiques et avantages
- Technologie FRAM non volatile : conserve les données sans alimentation et offre une endurance en écriture quasi illimitée (10¹⁵ cycles), soit 1 000 milliards de fois supérieure à celle des EEPROM.
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 130 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 1,8 V à 3,6 V offre une grande flexibilité pour diverses conceptions de systèmes et applications basse consommation.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 105 °C garantit une fiabilité optimale dans les environnements difficiles, notamment dans les secteurs automobile et aérospatial.
- Interface I2C : Interface série standard (3,4 MHz) simplifiant l’intégration et réduisant le nombre de broches
- Boîtier CMS : boîtier 8-SOP (8-SOIC) optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
- Faible consommation d'énergie : Idéal pour les applications alimentées par batterie et économes en énergie
- Écriture instantanée : contrairement aux EEPROM, aucune latence d’écriture ; les données sont écrites à la vitesse du bus.
Applications
Ce circuit intégré de mémoire FRAM est conçu pour les applications critiques, notamment :
- Aérospatiale et avionique : enregistreurs de données de vol, systèmes de navigation, enregistrement de données en boîte noire
- Automobile : stockage des paramètres de l'ECU, données d'étalonnage ADAS, enregistreurs de données d'événements
- Automatisation industrielle : configuration d’automates programmables, réseaux de capteurs, systèmes de contrôle de processus
- Comptage intelligent : compteurs d’énergie, compteurs d’eau, journaux de détection de fraude
- Dispositifs médicaux : stockage de la configuration des équipements de surveillance des patients et des appareils de diagnostic
- Télécommunications : contrôleurs de station de base, infrastructure réseau, configuration des routeurs
La combinaison de la non-volatilité, de la haute endurance et des vitesses d'écriture rapides la rend supérieure aux solutions EEPROM traditionnelles et aux solutions SRAM avec batterie de secours.
Garantie de qualité et d'authenticité
Toutes les unités proviennent directement de distributeurs agréés et sont accompagnées de la documentation complète du fabricant, d'une traçabilité totale et d'un engagement de disponibilité à long terme. Chaque composant est livré dans son emballage RAMXEED d'origine et est certifié conforme. Nous garantissons des pièces 100 % authentiques et une transparence totale de la chaîne d'approvisionnement, répondant ainsi aux exigences de qualification des secteurs aérospatial et automobile.
Spécifications techniques
Pourquoi choisir la FRAM plutôt que l'EEPROM ?
- Endurance en écriture : 10¹⁵ cycles contre 10⁶ pour l’EEPROM
- Vitesse d'écriture : Vitesse du bus (sans délai) contre 5 à 10 ms par écriture pour l'EEPROM
- Consommation d'énergie : Faible consommation d'énergie par opération d'écriture
- Fiabilité : absence de mécanisme d'usure, idéal pour l'enregistrement fréquent de données.
- Durée de conservation des données : plus de 10 ans à 85 °C
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | RAMXEED |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 64 kbits |
| Organisation de la mémoire | 8K x 8 |
| Interface mémoire | I2C |
| Fréquence d'horloge | 3,4 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 130 ns |
| Tension - Alimentation | 1,8 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
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