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RAMXEED

MB85RC64TAPNF-G-JNE2

Prix habituel €1,95
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €1,95 EUR €1,95 EUR
15+ €1,79 EUR €26,85 EUR
25+ €1,76 EUR €44,00 EUR
50+ €1,66 EUR €83,00 EUR
100+ €1,46 EUR €146,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

MB85RC64TAPNF-G-JNE2 - Circuit intégré de mémoire FRAM 64 Kbits

Le MB85RC64TAPNF-G-JNE2 est un circuit intégré de mémoire vive ferroélectrique (FRAM) 64 kbits hautes performances, fabriqué par RAMXEED. Cette solution de mémoire non volatile combine la vitesse d'écriture et l'endurance de la RAM avec les capacités de conservation des données de la mémoire non volatile, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant un enregistrement fréquent de données, le stockage de paramètres et la conservation de données critiques.

Principales caractéristiques et avantages

  • Haute endurance : la technologie FRAM offre des cycles de lecture/écriture pratiquement illimités (10¹⁵ cycles), surpassant largement les mémoires EEPROM et Flash traditionnelles.
  • Performances d'écriture rapides : temps d'accès de 130 ns sans délai d'écriture ; les données sont écrites à la vitesse du bus sans limitation de page.
  • Faible consommation d'énergie : fonctionne avec une tension d'alimentation de 1,8 V à 3,6 V, idéal pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
  • Large plage de températures : Un fonctionnement de qualité industrielle de -40 °C à 105 °C garantit des performances fiables dans des environnements difficiles.
  • Interface I2C : L’interface série I2C standard (3,4 MHz) simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les systèmes embarqués.
  • Conservation instantanée des données : stockage non volatil avec conservation des données pendant 10 ans à 85 °C sans alimentation de secours.

Applications typiques

Ce circuit intégré de mémoire FRAM est parfaitement adapté à l'automatisation industrielle, aux compteurs intelligents, aux dispositifs médicaux, aux systèmes automobiles, aux capteurs IoT, aux enregistreurs de données et à toute application nécessitant un stockage non volatil fiable avec une endurance en écriture élevée et une faible consommation d'énergie.

Spécifications techniques

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Ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de circuits intégrés de mémoire, incluant les solutions FRAM, EEPROM, Flash et SRAM pour systèmes embarqués. Consultez notre page d'accueil pour parcourir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs authentiques. Restez informé des dernières tendances et articles techniques sur notre blog .

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant RAMXEED
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire CADRE
Technologie FRAM (RAM ferroélectrique)
Taille de la mémoire 64 kbits
Organisation de la mémoire 8K x 8
Interface mémoire I2C
Fréquence d'horloge 3,4 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 130 ns
Tension - Alimentation 1,8 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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