MB85RS128BPNF-G-AME2

MB85RS128BPNF-G-AME2 - Circuit intégré de mémoire FRAM haute performance de 128 kbits

Le MB85RS128BPNF-G-AME2 de RAMXEED est un circuit intégré de mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) de 128 kbits haute fiabilité, conçu pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Cette solution de mémoire non volatile combine la vitesse de la SRAM avec la rétention des données de la mémoire Flash, offrant une endurance en écriture quasi illimitée et des temps d'accès ultrarapides.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 13 ns permet une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Interface SPI haute vitesse : fréquence d'horloge de 33 MHz pour une communication série efficace
• Large plage de fonctionnement : la plage de températures de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
• Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
• Boîtier CMS : boîtier SOIC 8 broches (largeur de 3,90 mm) pour des agencements de circuits imprimés compacts
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications techniques

Idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations, la conservation de paramètres, l'enregistrement d'événements et les applications de mémoire tampon non volatile où des vitesses d'écriture rapides et une endurance illimitée sont essentielles.

Spécifications techniques complètes

Authenticité garantie : tous les produits RAMXEED proviennent directement de distributeurs agréés et sont accompagnés de la documentation complète du fabricant et d’une traçabilité intégrale. Notre engagement sur le long terme assure la disponibilité des produits pour vos applications critiques.

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