MB85RS128BPNF-G-JNE1

MB85RS128BPNF-G-JNE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM haute performance

Le MB85RS128BPNF-G-JNE1 est un circuit intégré de mémoire vive ferroélectrique (FRAM) de 128 kbits de pointe, fabriqué par RAMXEED et conçu pour offrir des performances exceptionnelles dans les applications électroniques industrielles et embarquées. Cette solution de mémoire non volatile combine la vitesse de la SRAM avec la rétention des données de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant des opérations d'écriture fréquentes, une faible consommation d'énergie et une fiabilité des données à long terme.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances d'écriture ultra-rapides : la technologie FRAM offre une endurance en écriture quasi illimitée (10¹⁵ cycles) sans délai, éliminant ainsi le besoin de tampons de pages ou de gestion des cycles d'écriture.
• Faible consommation d'énergie : fonctionne entre 2,7 V et 3,6 V avec un courant actif et en veille minimal, idéal pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
• Interface SPI haute vitesse : la fréquence d’horloge de 33 MHz garantit un accès et un transfert de données rapides pour les applications critiques en termes de temps.
• Plage de températures industrielles : Son fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C (TA) le rend adapté aux environnements difficiles.
• Boîtier compact pour montage en surface : l’ encombrement de 8 boîtiers SOIC (largeur de 3,90 mm) permet des agencements de circuits imprimés peu encombrants.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire FRAM est parfaitement adapté pour :

• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• compteurs intelligents et dispositifs de gestion de l'énergie
• Équipements médicaux nécessitant un enregistrement de données fiable
• Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
• Dispositifs IoT et réseaux de capteurs sans fil
• Équipements d'acquisition de données et d'instrumentation
• stockage des données de configuration et d'étalonnage

Pourquoi choisir la technologie FRAM ?

Contrairement aux mémoires Flash ou EEPROM traditionnelles, la FRAM offre une endurance en écriture supérieure, des vitesses d'écriture plus rapides et une consommation d'énergie réduite. La MB85RS128BPNF-G-JNE1 assure un stockage de données non volatil instantané, sans les problèmes d'usure liés à la mémoire Flash, ce qui en fait le choix idéal pour les applications nécessitant des mises à jour fréquentes des données et une longue durée de vie des produits.

Spécifications techniques

Assurance qualité et assistance

Chez HQICKEY, nous garantissons des composants 100 % authentiques, une traçabilité complète et une disponibilité tout au long de leur cycle de vie. Notre équipe d'assistance technique dédiée est à votre disposition pour vous accompagner dans l'intégration, vous fournir des fiches techniques et des recommandations spécifiques à votre application, afin de garantir la réussite de votre projet.

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Découvrez notre vaste sélection de circuits intégrés de mémoire, incluant les solutions SRAM, DRAM, EEPROM et Flash, pour vos systèmes embarqués. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs, ou visitez notre blog technique pour accéder à des notes d'application, des conseils de conception et des analyses du secteur.

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