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RAMXEED

MB85RS128BPNF-G-JNERE1

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

RAMXEED MB85RS128BPNF-G-JNERE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM haute performance

Le MB85RS128BPNF-G-JNERE1 est un circuit intégré de mémoire RAM ferroélectrique (FRAM) de 128 Kbits de RAMXEED, offrant des performances supérieures pour les applications industrielles et embarquées nécessitant une mémoire non volatile avec des vitesses d'écriture rapides et une endurance exceptionnelle.

Principales caractéristiques et avantages

  • Interface SPI rapide : la fréquence d’horloge de 33 MHz permet un accès et un transfert de données rapides.
  • Technologie FRAM non volatile : conserve les données sans alimentation tout en offrant des vitesses d’écriture comparables à celles de la RAM.
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les applications industrielles
  • Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier SOIC 8 broches (largeur de 3,90 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications idéales

Idéale pour l'enregistrement de données, l'automatisation industrielle, les systèmes automobiles, les dispositifs médicaux, les compteurs intelligents et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable avec une endurance en écriture élevée et des temps d'accès rapides.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant RAMXEED
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire CADRE
Technologie FRAM (RAM ferroélectrique)
Taille de la mémoire 128 kbits
Organisation de la mémoire 16K x 8
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 33 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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