MB85RS16NPNF-G-JNE1

MB85RS16NPNF-G-JNE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 16 Kbits haute fiabilité

La mémoire vive ferroélectrique (FRAM) MB85RS16NPNF-G-JNE1 de RAMXEED est un dispositif haut de gamme de 16 kbits (2K x 8) conçu pour les applications embarquées, industrielles et automobiles critiques. Ce circuit intégré de mémoire non volatile combine la vitesse de la SRAM avec la rétention des données de l'EEPROM, offrant une endurance en écriture quasi illimitée et une consommation d'énergie ultra-faible.

Principales caractéristiques et avantages

• Interface SPI haute vitesse : la fréquence d'horloge de 20 MHz permet un accès rapide aux données avec un temps d'accès de seulement 18 ns.
• Endurance en écriture étendue : la technologie FRAM offre 10 000 milliards (10^13) de cycles d’écriture/lecture, surpassant largement les EEPROM traditionnelles.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 95 °C pour les environnements difficiles.
• Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V avec un courant actif et de veille minimal.
• Boîtier compact pour montage en surface : format 8-SOIC (largeur de 3,90 mm) peu encombrant, idéal pour les circuits imprimés à forte densité.
• Écriture instantanée : aucune latence d’écriture – les données sont stockées immédiatement, sans tampon de page ni cycles d’effacement.

Applications idéales

Idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations, la conservation de paramètres, l'enregistrement d'événements et la sauvegarde d'horloge en temps réel dans les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les appareils IoT, les équipements médicaux et les compteurs intelligents.

Spécifications techniques

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