MB85RS16PNF-G-JNERE1

MB85RS16PNF-G-JNERE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 16 Kbits

Le MB85RS16PNF-G-JNERE1 est un circuit intégré de mémoire vive ferroélectrique (FRAM) 16 kbits hautes performances fabriqué par RAMXEED. Cette solution de mémoire non volatile combine la rapidité d'écriture et l'endurance de la RAM avec les capacités de conservation des données de la ROM, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant un enregistrement fréquent de données, le stockage de paramètres et la gestion de la configuration dans les systèmes industriels, automobiles et IoT.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances d'écriture rapides : la technologie FRAM permet une endurance en écriture pratiquement illimitée (10^13 cycles) sans délai d'écriture, éliminant ainsi le besoin de tampons de page.
• Faible consommation d'énergie : fonctionne entre 2,7 V et 3,6 V avec un courant actif et en veille minimal, idéal pour les applications alimentées par batterie.
• Interface SPI haute vitesse : la fréquence d’horloge de 20 MHz assure un transfert de données rapide pour les opérations critiques en temps réel.
• Large plage de températures : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C prend en charge les environnements industriels et automobiles exigeants.
• Boîtier compact pour montage en surface : son format 8-SOIC (largeur de 3,90 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Le circuit intégré de mémoire FRAM MB85RS16PNF-G-JNERE1 est parfaitement adapté pour :

• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels nécessitant des mises à jour fréquentes des paramètres
• Compteurs intelligents et systèmes de gestion de l'énergie pour l'enregistrement des données
• Électronique automobile, notamment les calculateurs, les tableaux de bord et les systèmes d'infodivertissement
• Dispositifs médicaux nécessitant un stockage non volatil fiable
• Capteurs IoT et dispositifs de calcul en périphérie avec contraintes de puissance
• stockage de configuration dans les systèmes embarqués

Pourquoi choisir la technologie FRAM ?

Contrairement aux mémoires EEPROM ou Flash traditionnelles, la technologie FRAM offre une endurance en écriture supérieure, des vitesses d'écriture plus rapides et une consommation d'énergie réduite. Grâce à des cycles d'écriture quasi illimités et à l'absence de délai d'écriture, la FRAM élimine les problèmes de fiabilité courants dans les applications nécessitant des mises à jour fréquentes des données. La MB85RS16PNF-G-JNERE1 assure une rétention des données de niveau entreprise (plus de 10 ans) tout en conservant la rapidité et la simplicité de la SRAM.

Garantie de qualité et d'authenticité

Chez HQICKEY , nous garantissons l'authenticité à 100 % des composants RAMXEED, avec une traçabilité complète et un support tout au long de leur cycle de vie. Chaque circuit intégré MB85RS16PNF-G-JNERE1 provient directement de circuits de distribution agréés et bénéficie de notre programme d'assurance qualité.

Produits et ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de circuits intégrés de mémoire, incluant les solutions SRAM, DRAM, EEPROM et Flash, pour vos systèmes embarqués. Pour des analyses techniques, des notes d'application et les tendances du secteur, consultez notre blog technique : vous y trouverez des conseils d'experts sur le choix de la mémoire, la conception de circuits et l'intégration des composants.

Besoin d'aide pour votre conception ? Notre équipe technique est prête à vous aider à choisir la solution de mémoire optimale pour vos besoins d'application.

• MB85RS16PNF-G-JNERE1.pdf