MB85RS1MTPH-G-JNE1

MB85RS1MTPH-G-JNE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 1 Mbit

Le MB85RS1MTPH-G-JNE1 de RAMXEED est un circuit intégré de mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) haute performance de 1 Mbit offrant un stockage non volatil et bénéficiant des avantages de vitesse et d'endurance propres à la technologie FRAM. Ce composant propose une organisation mémoire de 128 Ko x 8 avec une interface série SPI rapide prenant en charge des fréquences d'horloge jusqu'à 40 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

• Technologie FRAM non volatile : combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, offrant une endurance en écriture pratiquement illimitée (10¹⁵ cycles).
• Interface SPI rapide : la fréquence d’horloge de 40 MHz permet un accès et un transfert de données rapides.
• Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 1,8 V à 3,6 V prend en charge diverses exigences système.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements exigeants.
• Boîtier traversant : format 8-DIP (0,300 pouce, 7,62 mm) pour un prototypage aisé et une intégration facile aux systèmes existants.
• Faible consommation d'énergie : la technologie FRAM ne nécessite aucun cycle de rafraîchissement, ce qui réduit les besoins globaux en énergie.

Applications

Idéal pour l'automatisation industrielle, les systèmes automobiles, les dispositifs médicaux, les équipements aérospatiaux, l'enregistrement de données, le stockage de configurations et toute application nécessitant une mémoire non volatile rapide et fiable avec une endurance en écriture élevée.

Qualité et conformité

Fourni avec une traçabilité complète et une documentation de conformité RoHS/REACH. Un engagement sur le long terme garantit sa disponibilité pour les applications critiques intégrées.

Spécifications techniques complètes

• MB85RS1MTPH-G-JNE1.pdf