MB85RS1MTPNF-G-AWE2

RAMXEED MB85RS1MTPNF-G-AWE2 - Circuit intégré de mémoire FRAM haute performance de 1 Mbit

Le MB85RS1MTPNF-G-AWE2 est un circuit intégré de mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) de 1 Mbit haute fiabilité de RAMXEED, conçu pour les applications industrielles exigeant un stockage non volatil offrant une endurance exceptionnelle et des performances d'écriture rapides. Cette solution mémoire à interface SPI propose une organisation de 128 Ko x 8 avec un temps d'accès ultrarapide de 9 ns et prend en charge des fréquences d'horloge jusqu'à 40 MHz.

Principales caractéristiques et avantages :

• Technologie FRAM non volatile : combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, offrant une endurance en écriture pratiquement illimitée (10^13 cycles).
• Performances rapides : interface SPI 40 MHz avec un temps d'accès de 9 ns pour des transactions de données rapides.
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 1,8 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C pour les applications industrielles
• Boîtier compact pour montage en surface : 8-SOP (8-SOIC, largeur 3,90 mm) pour les conceptions à espace restreint
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales.

Applications idéales :

Idéal pour les systèmes automobiles, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, les compteurs intelligents, l'enregistrement de données et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable et rapide, avec une longue durée de vie et une traçabilité complète.

Spécifications techniques complètes :

• MB85RS1MTPNF-G-AWE2.pdf