MB85RS256BPNF-G-AMERE2

MB85RS256BPNF-G-AMERE2 - Circuit intégré de mémoire FRAM 256 Kbits

Le MB85RS256BPNF-G-AMERE2 est un circuit intégré de mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) haute performance de 256 kbits de RAMXEED, offrant un stockage de données non volatiles et bénéficiant des avantages de vitesse et d'endurance de la technologie FRAM. Grâce à son interface SPI et sa fréquence d'horloge de 33 MHz, cette solution mémoire offre des temps d'accès rapides de 13 ns et fonctionne dans une plage de températures industrielles allant de -40 °C à 85 °C.

Principales caractéristiques et avantages

• Technologie FRAM non volatile : conserve les données sans alimentation tout en offrant une endurance en écriture pratiquement illimitée (10¹⁵ cycles)
• Performances rapides : interface SPI 33 MHz avec un temps d'accès de 13 ns pour des transactions de données rapides.
• Fiabilité de niveau industriel : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les applications exigeantes
• Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
• Boîtier compact pour montage en surface : boîtier SOIC 8 broches (largeur de 3,90 mm) pour les circuits imprimés à espace restreint.

Applications idéales

Parfaite pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, d'automatisation industrielle et de télécommunications exigeant une mémoire non volatile rapide et fiable avec une endurance en écriture élevée. Idéale pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations et la conservation des paramètres critiques.

Garantie du distributeur agréé

Nous fournissons uniquement des stocks provenant de distributeurs agréés, accompagnés de la documentation complète du fabricant, d'une traçabilité et d'une assistance sous garantie. Chaque unité est fournie avec des ressources techniques complètes et bénéficie d'une disponibilité tout au long de son cycle de vie pour accompagner vos programmes produits.

Spécifications techniques complètes

• MB85RS256BPNF-G-AMERE2.pdf