MB85RS256BPNF-G-JNE1

RAMXEED MB85RS256BPNF-G-JNE1 - Mémoire FRAM haute performance de 256 Kbits

La puce MB85RS256BPNF-G-JNE1 de RAMXEED est une mémoire vive ferroélectrique (FRAM) de 256 kbits de pointe, conçue pour les applications critiques exigeant des vitesses d'écriture ultrarapides, une endurance exceptionnelle et une conservation non volatile des données fiable. Cette solution mémoire avancée combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des équipements de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances d'écriture ultra-rapides : la technologie FRAM permet des opérations d'écriture instantanées, sans les délais associés aux mémoires Flash ou EEPROM traditionnelles.
• Endurance exceptionnelle : supporte jusqu’à 10 000 milliards (10^13) de cycles de lecture/écriture, dépassant largement les capacités des mémoires Flash et EEPROM.
• Faible consommation d'énergie : la consommation minimale de courant en fonctionnement et en veille prolonge la durée de vie de la batterie dans les applications portables
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
• Interface SPI : Interface périphérique série standard de l’industrie simplifiant l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
• Conservation instantanée des données : aucune attente d’écriture ni batterie de secours requise – les données sont préservées immédiatement en cas de coupure de courant.

Spécifications techniques

Applications

Le MB85RS256BPNF-G-JNE1 excelle dans les applications exigeantes, notamment :

• Enregistrement des données des systèmes de commande de vol et de l'avionique aérospatiale
• Enregistrement des paramètres et des événements du calculateur moteur automobile
• Automatisation industrielle et mémoire de configuration des automates programmables
• stockage des données patient et des étalonnages des dispositifs médicaux
• configuration des équipements du réseau de télécommunications
• Systèmes de comptage intelligent et de gestion de l'énergie
• Dispositifs IoT périphériques nécessitant des mises à jour de données fréquentes

Pourquoi choisir la technologie FRAM ?

Contrairement à la mémoire Flash traditionnelle qui se dégrade après 100 000 cycles d'écriture, la FRAM offre une endurance quasi illimitée avec des vitesses d'écriture 1 000 fois plus rapides. Sa structure cristalline ferroélectrique lui confère une non-volatilité intrinsèque sans nécessiter de pompes de charge complexes ni de cycles d'effacement, ce qui se traduit par une consommation d'énergie réduite et une écriture instantanée. La FRAM est ainsi le choix idéal pour les applications exigeant des mises à jour fréquentes des données, une réactivité système optimale et une fiabilité à long terme.

Qualité et conformité

Ce composant est conforme à la directive RoHS et fabriqué selon les normes de qualité les plus strictes, garantissant ainsi sa fiabilité dans les systèmes embarqués critiques. Les processus rigoureux de test et de contrôle qualité de RAMXEED assurent des performances constantes sur toute la plage de températures industrielles.

Produits associés

Découvrez notre gamme complète de composants de mémoire, notamment les solutions FRAM, EEPROM, Flash et SRAM, pour répondre aux besoins de vos systèmes embarqués.

Visitez la page d'accueil de HQICKEY pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs haute fiabilité destinés aux applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications.

Restez informé des dernières technologies en matière de semi-conducteurs, des notes d'application et des analyses du secteur grâce à notre blog d'actualités et techniques .

• MB85RS256BPNF-G-JNE1.pdf