MB85RS256TYPNF-G-AWE2

MB85RS256TYPNF-G-AWE2 - Circuit intégré de mémoire FRAM 256 Kbits haute fiabilité

La puce MB85RS256TYPNF-G-AWE2 est une mémoire vive ferroélectrique (FRAM) de 256 kbits de pointe, conçue pour les applications critiques exigeant une endurance exceptionnelle, des vitesses d'écriture ultrarapides et une faible consommation d'énergie. Fabriquée par RAMXEED, cette solution de mémoire non volatile combine la vitesse de la SRAM avec la rétention des données de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des équipements de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Endurance ultra-élevée : la technologie FRAM offre 10 000 milliards (10^13) de cycles de lecture/écriture, surpassant largement les mémoires EEPROM et Flash traditionnelles.
• Performances d'écriture ultra-rapides : écrivez des données à la vitesse du bus sans aucun délai d'écriture ; aucun tampon de page ni cycle d'effacement n'est nécessaire.
• Véritable stockage non volatil : conserve les données pendant plus de 10 ans sans alimentation électrique, garantissant ainsi l'intégrité des données critiques.
• Fonctionnement à faible consommation : la consommation minimale de courant en fonctionnement et en veille prolonge l'autonomie de la batterie dans les applications portables.
• Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à +125 °C avec une tension d’alimentation de 1,8 V à 3,6 V.
• Interface SPI standard : intégration facile avec les microcontrôleurs et les processeurs jusqu'à une fréquence d'horloge de 33 MHz.
• Boîtier compact 8-SOP : conception à montage en surface peu encombrante pour les circuits imprimés haute densité

Applications idéales

Cette puce mémoire FRAM excelle dans les environnements exigeants où l'intégrité des données, l'endurance en écriture et l'efficacité énergétique sont primordiales :

• Enregistreurs de données de vol et systèmes avioniques aérospatiaux
• calculateurs automobiles, systèmes ADAS et enregistreurs de données d'événements
• Automates programmables industriels, compteurs intelligents et équipements de contrôle de processus
• Dispositifs médicaux implantables et équipements de diagnostic
• Stations de base de télécommunications et infrastructure de réseau
• Dispositifs périphériques IoT et réseaux de capteurs
• Applications d'enregistrement de données et de stockage de configuration

Spécifications techniques

Pourquoi choisir la technologie FRAM ?

La mémoire vive ferroélectrique (FRAM) représente une révolution dans le domaine des mémoires non volatiles. Contrairement aux mémoires Flash ou EEPROM qui nécessitent des pompes de charge haute tension et des cycles d'effacement de l'ordre de la milliseconde, la FRAM écrit les données en polarisant des cristaux ferroélectriques à la même vitesse que la SRAM. Cette différence fondamentale élimine les délais d'écriture, augmente considérablement l'endurance et réduit la consommation d'énergie, faisant de la FRAM le choix idéal pour les applications exigeant des mises à jour fréquentes de données, des contraintes énergétiques strictes ou une fiabilité extrême.

Qualité et conformité

Le MB85RS256TYPNF-G-AWE2 répond aux normes environnementales RoHS les plus strictes, garantissant ainsi son déploiement en toute sécurité sur les marchés internationaux. Les processus de contrôle qualité rigoureux de RAMXEED assurent des performances constantes pour les applications automobiles, industrielles et aérospatiales, quelles que soient les températures.

Produits et ressources connexes

Explorez notre gamme complète de solutions de mémoire, incluant les composants FRAM, EEPROM, Flash et SRAM, pour vos systèmes embarqués. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs, microcontrôleurs et composants électroniques haute fiabilité. Restez informé(e) des dernières nouveautés, analyses techniques et tendances du secteur en lisant notre blog technique .

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