MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2

MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2 - Circuit intégré de mémoire FRAM 256 Kbits

La mémoire vive ferroélectrique (FRAM) MB85RS256TYPNF-GS-AWERE2 de 256 kbits est une solution haute performance conçue pour les applications critiques exigeant un stockage non volatil offrant une endurance exceptionnelle et des vitesses d'écriture rapides. Cette solution mémoire avancée combine les avantages des performances de la RAM avec la conservation non volatile des données, ce qui la rend idéale pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : interface SPI 33 MHz avec un temps d’accès ultrarapide de 13 ns pour des opérations de données rapides.
• Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 125 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
• Alimentation flexible : large plage de tension (1,8 V à 3,6 V) pour une intégration système polyvalente
• Boîtier compact pour montage en surface : 8-SOIC (largeur de 3,90 mm) pour les conceptions à espace restreint
• Endurance supérieure : la technologie FRAM offre des cycles d'écriture pratiquement illimités par rapport aux EEPROM traditionnelles.
• Écriture instantanée : aucune latence d’écriture – les données sont stockées immédiatement sans tampon de page.
• Faible consommation d'énergie : fonctionnement écoénergétique idéal pour les applications alimentées par batterie

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire FRAM est conçu pour des applications exigeantes, notamment :

• Systèmes de commandes de vol et avionique aérospatiale
• calculateurs automobiles et systèmes critiques pour la sécurité
• Automatisation industrielle et contrôle des processus
• Enregistrement des données et stockage de la configuration des dispositifs médicaux
• équipement d'infrastructure de télécommunications
• Systèmes de comptage intelligent et de gestion de l'énergie
• Systèmes embarqués nécessitant des mises à jour fréquentes des données

Pourquoi choisir la technologie FRAM ?

La mémoire vive ferroélectrique (FRAM) offre des avantages considérables par rapport aux technologies de mémoire traditionnelles. Contrairement à l'EEPROM ou à la mémoire Flash, la FRAM permet une écriture instantanée sans cycles d'effacement, ce qui prolonge considérablement la durée de vie des composants. Cette technologie offre une endurance en écriture exceptionnelle (10^14 cycles), la rendant idéale pour les applications nécessitant des mises à jour fréquentes des données. Grâce à sa faible consommation d'énergie et à son accès rapide, la FRAM représente le choix optimal pour les systèmes embarqués de nouvelle génération.

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