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RAMXEED

MB85RS2MTAPNF-G-AWE2

Prix habituel €4,95
Prix habituel Prix promotionnel €4,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €4,95 EUR €4,95 EUR
15+ €4,55 EUR €68,25 EUR
25+ €4,46 EUR €111,50 EUR
50+ €4,21 EUR €210,50 EUR
100+ €3,71 EUR €371,00 EUR
N+ €0,74 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

RAMXEED MB85RS2MTAPNF-G-AWE2 - Mémoire vive ferroélectrique (FRAM) de 2 Mbit

Le MB85RS2MTAPNF-G-AWE2 est un circuit intégré de mémoire FRAM 2 Mbit hautes performances de RAMXEED, offrant un stockage de données non volatiles d'une vitesse et d'une endurance exceptionnelles. Cette mémoire RAM ferroélectrique combine les avantages de la mémoire non volatile avec la vitesse et la flexibilité de la SRAM, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications nécessitant un enregistrement de données et un stockage de paramètres fiables et rapides.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : temps d’accès de 9 ns avec une interface SPI 40 MHz pour des opérations de lecture/écriture rapides.
  • Haute endurance : la technologie FRAM offre des cycles d'écriture pratiquement illimités (plus de 10¹³ cycles d'écriture/lecture).
  • Faible consommation : plage de tension d'alimentation de 1,7 V à 3,6 V avec un courant actif et de veille minimal.
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Stockage non volatil : conservation des données sans alimentation pour les applications critiques
  • Boîtier compact : boîtier CMS 8-SOP pour les conceptions à espace restreint

Applications typiques

  • Enregistreurs de données de vol et systèmes avioniques aérospatiaux
  • Enregistrement des paramètres et des événements des calculateurs automobiles
  • Automatisation industrielle et conservation des données des automates programmables
  • Compteurs intelligents et systèmes de gestion de l'énergie
  • Configuration des dispositifs médicaux et stockage des données des patients
  • Infrastructures de télécommunications et stations de base

Pourquoi choisir la RAMXEED FRAM ?

La technologie RAM ferroélectrique de RAMXEED offre des performances supérieures aux mémoires EEPROM et Flash traditionnelles grâce à des vitesses d'écriture plus rapides, une endurance accrue et une consommation d'énergie réduite. En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants RAMXEED authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'un support technique à long terme afin de protéger votre investissement.

Spécifications techniques complètes

Documentation et assistance

Fiche technique complète, schémas de référence et assistance technique disponibles. Tous les produits sont livrés avec les certificats de conformité du fabricant et les documents de traçabilité garantissant leur authenticité et leur conformité à vos exigences de qualité.

Disponibilité en stock : Distributeur agréé proposant des livraisons internationales. Contactez-nous pour connaître nos tarifs dégressifs, nos options d’emballage personnalisées ou nos contrats d’approvisionnement à long terme.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant RAMXEED
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire CADRE
Technologie FRAM (RAM ferroélectrique)
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 256K x 8
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 40 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 400 µs
Temps d'accès 9 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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