MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2

MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2 - Mémoire FRAM haute performance de 2 Mbit

La mémoire RAM ferroélectrique (FRAM) MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2 de RAMXEED est une solution de mémoire haute fiabilité de 2 Mbit conçue pour les applications industrielles exigeant un stockage non volatil offrant une endurance exceptionnelle et des vitesses d'écriture rapides. Cette FRAM à interface SPI offre des performances supérieures aux technologies de mémoire EEPROM et Flash traditionnelles.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances d'écriture ultra-rapides : un cycle d'écriture de 400 µs avec un temps d'accès de 9 ns élimine les délais d'écriture.
• Endurance exceptionnelle : la technologie FRAM offre des cycles de lecture/écriture pratiquement illimités (10^14 cycles).
• Fonctionnement à faible consommation : large plage de tension (1,7 V à 3,6 V) pour des conceptions écoénergétiques
• Plage de températures industrielles : Fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
• Interface SPI haute vitesse : fréquence d'horloge de 40 MHz pour un transfert de données rapide
• Boîtier compact pour montage en surface : conception 8-SOIC peu encombrante pour les circuits imprimés à forte densité.

Applications idéales

Idéal pour l'enregistrement de données, l'automatisation industrielle, les systèmes automobiles, les dispositifs médicaux, les compteurs intelligents et toute application nécessitant des mises à jour fréquentes de la mémoire non volatile sans risque d'usure.

Spécifications techniques

Conforme à la directive RoHS : Ce produit respecte les normes environnementales relatives aux substances réglementées.

Bénéficiant de l'assurance qualité et du support technique de RAMXEED, le MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2 offre la fiabilité et les performances exigées par vos applications critiques.

• MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2.pdf