MB85RS2MTAPNF-G-BDE1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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MB85RS2MTAPNF-G-BDE1 - Circuit intégré de mémoire RAM ferroélectrique (FRAM) de 2 Mbit
Le MB85RS2MTAPNF-G-BDE1 de RAMXEED est un circuit intégré de mémoire FRAM (RAM ferroélectrique) haute performance de 2 Mbit doté d'une interface SPI et d'une endurance exceptionnelle. Cette solution de mémoire non volatile offre un temps d'accès rapide de 9 ns avec une fréquence d'horloge de 40 MHz, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, d'automatisation industrielle et de télécommunications exigeant une rétention de données fiable et une endurance en écriture élevée.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : interface SPI 40 MHz avec un temps d’accès de 9 ns pour des opérations de données rapides.
- Technologie FRAM non volatile : conserve les données sans alimentation tout en offrant une endurance en écriture pratiquement illimitée (10¹⁵ cycles)
- Large plage de fonctionnement : plage de température de -40 °C à 85 °C avec une tension d’alimentation de 1,7 V à 3,6 V
- Boîtier compact pour montage en surface : 8-SOIC (largeur de 3,90 mm) / 8-SOP pour les conceptions à espace restreint
- Stock du distributeur agréé : documentation complète du fabricant, traçabilité et assistance tout au long du cycle de vie
Applications typiques
- Systèmes de contrôle industriel et automates programmables
- Calculateurs automobiles et enregistrement de données
- Enregistreurs de vol et avionique aérospatiale
- Compteurs intelligents et gestion de l'énergie
- Dispositifs médicaux nécessitant l'intégrité des données
- Infrastructure de télécommunications
Spécifications techniques
Pourquoi choisir RAMXEED MB85RS2MTAPNF-G-BDE1 ?
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants RAMXEED authentiques, avec une traçabilité complète du fabricant, des fiches techniques détaillées et une disponibilité à long terme pour vos applications critiques. La technologie FRAM offre une fiabilité supérieure aux technologies EEPROM et Flash, avec des vitesses d'écriture plus rapides, une consommation d'énergie réduite et une endurance en écriture quasi illimitée — idéale pour les applications nécessitant des mises à jour fréquentes des données et la conservation de données critiques.
Conforme à la norme RoHS | En stock agréé | Livraison internationale disponible
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | RAMXEED |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | Tube |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 2 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 256K x 8 |
| Interface mémoire | SPI |
| Fréquence d'horloge | 40 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 9 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |

MB85RS2MTAPNF-G-BDE1.pdf