-
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1
Prix habituel
€10,95
Prix habituel
Prix promotionnel
€10,95
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €10,95 EUR | €10,95 EUR |
| 15+ | €10,07 EUR | €151,05 EUR |
| 25+ | €9,86 EUR | €246,50 EUR |
| 50+ | €9,31 EUR | €465,50 EUR |
| 100+ | €8,21 EUR | €821,00 EUR |
| N+ | €1,64 EUR | Price Inquiry |
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Impossible de charger la disponibilité du service de retrait
Recycling Electronic Components
RAMXEED MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 4 Mbit
Solution de mémoire RAM ferroélectrique (FRAM) haute performance de 4 Mbit avec interface SPI, conçue pour les applications industrielles, automobiles et aérospatiales nécessitant un stockage de données rapide et non volatil avec une endurance exceptionnelle.
Caractéristiques principales
- Capacité mémoire de 4 Mbit : organisation 512 Ko x 8 pour une gestion flexible des données
- Accès ultra-rapide : temps d’accès de 9 ns avec une interface SPI de 50 MHz
- Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 125 °C pour les environnements exigeants.
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V
- Boîtier de montage en surface : 8-VDFN à pastille exposée / 8-DFN (5x6)
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
Applications
Idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations, l'automatisation industrielle, les systèmes automobiles et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable avec une endurance d'écriture illimitée et une capacité d'écriture instantanée.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | RAMXEED |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | SPI |
| Fréquence d'horloge | 50 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 9 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-VDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
| RoHS |  |
MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1.pdf
×