MB85RS512LYPN-GS-AME1

MB85RS512LYPN-GS-AME1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 512 Kbits

Le MB85RS512LYPN-GS-AME1 est un circuit intégré de mémoire vive ferroélectrique (FRAM) de 512 Kbits à haute fiabilité de RAMXEED, conçu pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Haute endurance : la technologie FRAM offre une endurance en écriture supérieure à celle des mémoires EEPROM et Flash traditionnelles.
• Performances d'écriture rapides : Opérations d'écriture quasi instantanées sans délai d'écriture
• Faible consommation d'énergie : Idéal pour les applications alimentées par batterie et sensibles à l'énergie
• Stockage non volatil : conservation des données sans alimentation électrique
• Qualité industrielle : Conçu pour des conditions environnementales exigeantes
• Assistance tout au long du cycle de vie : disponibilité garantie pour les conceptions critiques
• Traçabilité complète : documentation complète de la chaîne d'approvisionnement et certification de conformité

Applications

Idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations, la conservation des paramètres et les données système critiques dans des environnements difficiles où la fiabilité et l'endurance sont primordiales.

Conformité et qualité

Conforme aux normes RoHS et REACH. Distribution autorisée avec documentation de traçabilité complète.

Spécifications techniques complètes

• MB85RS512LYPN-GS-AME1.pdf