MB85RS512LYPNF-GS-BCERE1

RAMXEED MB85RS512LYPNF-GS-BCERE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 512 Kbits

La MB85RS512LYPNF-GS-BCERE1 est une mémoire vive ferroélectrique (FRAM) de 512 Kbits à haute fiabilité de RAMXEED, conçue pour les applications critiques nécessitant une conservation non volatile des données avec une endurance exceptionnelle et des performances d'écriture rapides.

Principales caractéristiques et avantages

• Technologie FRAM 512 Kbits : combine la vitesse de la SRAM avec le stockage non volatil, éliminant ainsi le besoin d’une batterie de secours.
• Haute endurance : Cycles de lecture/écriture pratiquement illimités (10¹⁴ cycles) par rapport aux EEPROM ou Flash traditionnelles.
• Performances d'écriture rapides : aucune latence d'écriture – les données sont écrites à la vitesse du bus sans limitation de page.
• Faible consommation d'énergie : Idéal pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
• Conditionnement en bande et bobine : format prêt pour la production et les processus d'assemblage automatisés

Applications idéales

Idéal pour l'enregistrement de données aérospatiales, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les compteurs intelligents et les infrastructures de télécommunications où l'intégrité, l'endurance et la fiabilité des données sont primordiales.

Assistance à la conception

Une documentation technique complète, incluant fiches techniques, schémas de référence et notes d'application, est disponible. Notre équipe d'ingénieurs vous accompagne à l'intégration de votre système afin de garantir une intégration optimale.

Spécifications complètes

Ressources connexes

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