MB85RS512TPNF-G-AME2

MB85RS512TPNF-G-AME2 - Solution de mémoire FRAM haute performance

Le MB85RS512TPNF-G-AME2 est un circuit intégré de mémoire RAM ferroélectrique (FRAM) de 512 Kbits de qualité supérieure de RAMXEED, conçu pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications nécessitant un stockage non volatil rapide et fiable avec une endurance exceptionnelle.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : temps d’accès de 9 ns avec une interface SPI 30 MHz pour une récupération rapide des données.
• Véritable mémoire non volatile : la technologie FRAM conserve les données sans alimentation tout en offrant des performances similaires à celles de la SRAM.
• Endurance exceptionnelle : cycles de lecture/écriture pratiquement illimités comparés aux EEPROM ou mémoires Flash traditionnelles.
• Large plage de fonctionnement : tolérance aux températures industrielles de -40 °C à 85 °C
• Alimentation flexible : fonctionnement de 1,8 V à 3,6 V pour une intégration système diversifiée
• Boîtier SOIC 8 broches compact : conception de montage en surface peu encombrante (largeur de 3,90 mm)

Applications idéales

Idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations, la conservation de paramètres, l'enregistrement d'événements et toute application nécessitant des écritures fréquentes avec une persistance instantanée des données. Largement utilisé dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les compteurs intelligents et les systèmes embarqués critiques.

Garantie de qualité et d'authenticité

Provenant de distributeurs agréés, ce produit est accompagné de toute la documentation et de la traçabilité du fabricant. Conforme à la norme RoHS. Un engagement sur le long terme garantit sa disponibilité pour vos besoins de production.

Spécifications techniques complètes

• MB85RS512TPNF-G-AME2.pdf