MB85RS512TPNF-G-AWE2

MB85RS512TPNF-G-AWE2 - Circuit intégré de mémoire FRAM 512 Kbits

Le MB85RS512TPNF-G-AWE2 de RAMXEED est un circuit intégré de mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) haute performance de 512 kbits doté d'une interface SPI et d'une fréquence d'horloge de 30 MHz. Cette solution de mémoire non volatile combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications exigeant des cycles d'écriture rapides et une endurance quasi illimitée.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances d'écriture rapides : cycle d'écriture de 400 µs et temps d'accès de 9 ns pour un enregistrement et un stockage rapides des données.
• Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 1,8 V à 3,6 V pour une intégration système flexible.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Interface SPI : interface périphérique série standard pour une intégration facile
• Boîtier compact pour montage en surface : son format 8-SOIC (largeur de 3,90 mm) permet un gain de place sur la carte.
• Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
• Haute endurance : la technologie FRAM offre des cycles de lecture/écriture pratiquement illimités

Applications

Ce circuit intégré de mémoire FRAM est parfaitement adapté à l'enregistrement de données, au stockage de configurations, à l'enregistrement d'événements, à la conservation des données de compteurs et à toute application nécessitant une mémoire non volatile rapide et fiable avec une endurance en écriture élevée.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir la technologie FRAM ?

La mémoire vive ferroélectrique (FRAM) offre des performances supérieures aux mémoires EEPROM et Flash traditionnelles. Grâce à une endurance en écriture quasi illimitée (10^14 cycles), des vitesses d'écriture ultrarapides et une faible consommation d'énergie, la FRAM est le choix idéal pour les applications critiques nécessitant un stockage de données non volatiles fiable et à haute vitesse.

Documentation complète de traçabilité et de conformité RoHS/REACH disponible sur demande.

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