MB85RS512TYPN-G-AWE1

MB85RS512TYPN-G-AWE1 - Solution de mémoire FRAM haute performance

La puce mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) MB85RS512TYPN-G-AWE1 de 512 kbits de RAMXEED est un produit haut de gamme conçu pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle et des télécommunications. Cette mémoire non volatile combine la vitesse de la SRAM et la rétention des données de la mémoire Flash, offrant ainsi des performances exceptionnelles et une endurance en écriture quasi illimitée.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : temps d’accès de 9 ns avec une interface SPI 50 MHz pour des opérations de données rapides.
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 1,8 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 125 °C
• Fiabilité éprouvée : la technologie FRAM offre 10 billions de cycles d'écriture avec une conservation des données de 10 ans.
• Composants authentiques : Stock du distributeur agréé avec documentation complète du fabricant et traçabilité.
• Prêt à l'emploi : Boîtier à pastilles exposées 8-VDFN (5 x 6 mm) pour une gestion thermique efficace

Applications idéales

Idéale pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations, la conservation de paramètres et les systèmes temps réel exigeant une capacité d'écriture instantanée sans risque d'usure. Son architecture 64 Ko x 8 offre une grande flexibilité de mappage mémoire pour les systèmes embarqués.

Spécifications techniques complètes

Assurance qualité : Tous les composants proviennent de distributeurs agréés et garantissent une traçabilité complète du fabricant. Conformes à la norme RoHS. Un engagement sur le long terme assure leur disponibilité pour vos besoins de production.

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