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MB85RS512TYPN-G-AWEWE1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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MB85RS512TYPN-G-AWEWE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 512 Kbits
Le MB85RS512TYPN-G-AWEWE1 est un circuit intégré de mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) haute performance de 512 kbits doté d'une interface SPI et d'une endurance exceptionnelle. Cette solution de mémoire non volatile combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications exigeant une conservation fiable des données et des cycles d'écriture rapides.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 50 MHz avec un temps d’accès de 9 ns pour des opérations de données rapides.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 1,8 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 125 °C
- Endurance supérieure : la technologie FRAM offre des cycles d'écriture pratiquement illimités (10¹⁴ cycles de lecture/écriture).
- Écriture instantanée : aucune latence d’écriture – les données sont écrites à la vitesse du bus sans tampon de page.
- Faible consommation d'énergie : Idéal pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie
- Interface standard du secteur : interface série SPI pour une intégration facile
- Boîtier compact : le boîtier CMS 8-DFN (5 x 6 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
Applications
Ce circuit intégré de mémoire FRAM est conçu pour les applications critiques, notamment les systèmes d'enregistrement de données, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les calculateurs automobiles, les compteurs intelligents, les dispositifs médicaux et l'instrumentation aérospatiale, où l'intégrité des données et la fiabilité à long terme sont primordiales.
Garantie de qualité et d'authenticité
Tous les modules MB85RS512TYPN-G-AWEWE1 proviennent de distributeurs agréés et sont accompagnés de la documentation complète du fabricant et d'une traçabilité intégrale. Chaque module est livré sous emballage scellé en usine (bande et bobine) avec certification de conformité totale et conformité RoHS.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | RAMXEED |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 512 kbits |
| Organisation de la mémoire | 64K x 8 |
| Interface mémoire | SPI |
| Fréquence d'horloge | 50 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 9 ns |
| Tension - Alimentation | 1,8 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-VDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
| RoHS |  |
MB85RS512TYPN-G-AWEWE1.pdf