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MB85RS512TYPN-GS-AWE1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €5,95 EUR | €5,95 EUR |
| 15+ | €5,47 EUR | €82,05 EUR |
| 25+ | €5,36 EUR | €134,00 EUR |
| 50+ | €5,06 EUR | €253,00 EUR |
| 100+ | €4,46 EUR | €446,00 EUR |
| N+ | €0,89 EUR | Price Inquiry |
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MB85RS512TYPN-GS-AWE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM haute performance de 512 kbits
Le MB85RS512TYPN-GS-AWE1 est un circuit intégré de mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) 512 kbits haut de gamme de RAMXEED, conçu pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle et des télécommunications. Cette solution de mémoire non volatile combine la vitesse de la SRAM avec la rétention des données de la mémoire Flash, offrant des performances exceptionnelles sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : temps d’accès de 9 ns avec une interface SPI 50 MHz pour des transactions de données rapides.
- Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 125 °C (TA) pour les environnements difficiles
- Alimentation flexible : une large plage de tension (1,8 V à 3,6 V) prend en charge diverses architectures système.
- Haute endurance : la technologie FRAM offre des cycles d'écriture pratiquement illimités, contrairement aux technologies Flash ou EEPROM.
- Écriture instantanée : aucun délai d’écriture ni mémoire tampon de page requis – les données sont écrites immédiatement
- Faible consommation d'énergie : Idéal pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie
Applications
Idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations, la conservation de paramètres, l'enregistrement d'événements et la capture de données en temps réel dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les compteurs intelligents et les systèmes aérospatiaux.
Garantie de qualité et d'authenticité
Provenant de distributeurs agréés, chaque unité bénéficie d'une documentation complète du fabricant et d'une traçabilité irréprochable. Conforme à la norme RoHS, elle est garantie par notre engagement à utiliser des composants authentiques et à assurer un support technique tout au long de son cycle de vie.
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | RAMXEED |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CADRE |
| Technologie | FRAM (RAM ferroélectrique) |
| Taille de la mémoire | 512 kbits |
| Organisation de la mémoire | 64K x 8 |
| Interface mémoire | SPI |
| Fréquence d'horloge | 50 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 9 ns |
| Tension - Alimentation | 1,8 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-VDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
| RoHS |  |
MB85RS512TYPN-GS-AWE1.pdf