MB85RS512TYPNF-G-BCERE1

RAMXEED MB85RS512TYPNF-G-BCERE1 - Circuit intégré de mémoire FRAM 512 Kbits

La MB85RS512TYPNF-G-BCERE1 est une mémoire vive ferroélectrique (FRAM) haute performance de 512 Kbits de RAMXEED, conçue pour les applications critiques nécessitant un stockage de données non volatiles avec une endurance exceptionnelle et des vitesses d'écriture rapides.

Principales caractéristiques et avantages

• Technologie FRAM 512 Kbits - Mémoire non volatile avec une endurance en écriture pratiquement illimitée (10¹⁵ cycles)
• Haute fiabilité - Idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications
• Performances d'écriture rapides : aucun délai d'écriture par rapport aux EEPROM ou Flash traditionnelles.
• Faible consommation d'énergie - Fonctionnement écoénergétique des appareils alimentés par batterie
• Conforme à la norme RoHS - Répond aux normes environnementales pour la distribution mondiale
• Conditionnement en bande et bobine - Prêt pour la production et les processus d'assemblage automatisés

Applications

Ce circuit intégré de mémoire FRAM est idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations, la conservation de paramètres et les données système critiques dans des environnements difficiles où la fiabilité et l'intégrité des données sont primordiales.

Spécifications techniques

Assistance et documentation en matière de conception

Des fiches techniques complètes, des schémas de référence et une assistance technique sont disponibles pour faciliter la conception et l'intégration. Contactez notre équipe d'ingénierie pour obtenir des conseils adaptés à votre application.

Qualité et conformité

Tous les produits RAMXEED bénéficient d'une traçabilité complète, d'une certification de conformité RoHS/REACH et sont couverts par notre engagement en matière de disponibilité tout au long du cycle de vie pour les applications critiques.

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