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RAMXEED

MB85RS64TUPNF-G-JNE2

Prix habituel €2,95
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €2,95 EUR €2,95 EUR
15+ €2,71 EUR €40,65 EUR
25+ €2,66 EUR €66,50 EUR
50+ €2,51 EUR €125,50 EUR
100+ €2,21 EUR €221,00 EUR
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Recycling Electronic Components

MB85RS64TUPNF-G-JNE2 - Circuit intégré de mémoire FRAM 64 Kbits de qualité supérieure

Le MB85RS64TUPNF-G-JNE2 est un circuit intégré de mémoire vive ferroélectrique (FRAM) 64 kbits hautes performances, fabriqué par RAMXEED. Cette solution de mémoire non volatile avancée combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'acquisition de données et les applications critiques exigeant des vitesses d'écriture élevées et une endurance quasi illimitée.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances d'écriture ultra-rapides : un temps d'accès de 18 ns permet un stockage rapide des données sans délai.
  • Haute endurance : la technologie FRAM supporte 10 billions (10^13) de cycles de lecture/écriture, surpassant largement les EEPROM traditionnelles.
  • Faible consommation d'énergie : une large plage de tension (1,8 V à 3,6 V) optimise l'efficacité énergétique.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -55 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
  • Interface SPI : une fréquence d'horloge de 10 MHz assure une communication série rapide
  • Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier SOIC 8 broches (largeur de 3,90 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire FRAM est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes de contrôle industriel et automates programmables
  • Compteurs intelligents et gestion de l'énergie
  • Dispositifs médicaux nécessitant l'intégrité des données
  • Électronique automobile et enregistreurs de données (boîtes noires)
  • capteurs IoT et dispositifs de calcul en périphérie
  • Enregistrement de la configuration et des paramètres

Pourquoi choisir la technologie FRAM ?

Contrairement aux mémoires Flash ou EEPROM traditionnelles, la technologie FRAM offre une capacité d'écriture instantanée sans délai, une consommation d'énergie extrêmement faible lors des opérations d'écriture et une endurance exceptionnelle. La MB85RS64TUPNF-G-JNE2 assure une conservation fiable des données à long terme (plus de 10 ans) tout en conservant les performances essentielles aux applications embarquées temps réel.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant RAMXEED
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire CADRE
Technologie FRAM (RAM ferroélectrique)
Taille de la mémoire 64 kbits
Organisation de la mémoire 8K x 8
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 10 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 18 ns
Tension - Alimentation 1,8 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP

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