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RAMXEED

MB85RS64TUPNF-G-JNERE2

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Quantity Unit Price Total Price
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25+ €2,66 EUR €66,50 EUR
50+ €2,51 EUR €125,50 EUR
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Recycling Electronic Components

MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 - Mémoire FRAM haute performance de 64 Kbits

La puce MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 est une mémoire vive ferroélectrique (FRAM) de 64 kbits de pointe, conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité et une endurance exceptionnelles. Fabriquée par RAMXEED, cette solution de mémoire non volatile allie la vitesse de la SRAM à la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des dispositifs médicaux.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances d'écriture ultra-rapides : contrairement à la mémoire Flash traditionnelle, la FRAM offre une endurance en écriture pratiquement illimitée (10^14 cycles) sans aucun délai d'écriture.
  • Faible consommation d'énergie : fonctionne efficacement entre 1,8 V et 3,6 V, idéal pour les applications alimentées par batterie et sensibles à l'énergie.
  • Large plage de températures : un fonctionnement fiable de -55 °C à 85 °C garantit des performances optimales même dans des environnements extrêmes.
  • Interface SPI : L’interface SPI 10 MHz standard simplifie l’intégration dans les conceptions existantes
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette puce mémoire FRAM excelle dans les applications nécessitant un enregistrement fréquent des données, le stockage des paramètres et la conservation de la configuration, notamment l'automatisation industrielle, les compteurs intelligents, les calculateurs automobiles, les dispositifs de surveillance médicale et les systèmes d'instrumentation aérospatiale.

Pourquoi choisir la technologie FRAM ?

La technologie FRAM offre des avantages considérables par rapport aux mémoires EEPROM et Flash traditionnelles : écriture instantanée sans cycle d’effacement, vitesse d’écriture 1 000 fois supérieure, endurance en écriture 10 000 fois plus importante et consommation d’énergie nettement réduite lors des opérations d’écriture. Ces caractéristiques font de la MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 le choix idéal pour les applications gourmandes en données.

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Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire à semi-conducteurs, incluant les mémoires SRAM, DRAM, Flash et EEPROM. Consultez le site HQICKEY pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs de qualité aérospatiale et industrielle. Restez informé(e) des dernières tendances et nouveautés produits sur notre blog d'actualités .

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant RAMXEED
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire CADRE
Technologie FRAM (RAM ferroélectrique)
Taille de la mémoire 64 Kbits
Organisation de la mémoire 8K x 8
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 10 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,8 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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