MB85RS64VPNF-G-AMERE2

MB85RS64VPNF-G-AMERE2 - Circuit intégré de mémoire FRAM 64 Kbits

Le MB85RS64VPNF-G-AMERE2 est un circuit intégré de mémoire FRAM (Ferroelectric RAM) 64 Kbits hautes performances de RAMXEED, offrant une endurance supérieure et des vitesses d'écriture ultrarapides par rapport aux EEPROM traditionnelles. Grâce à son interface SPI et sa large plage de tensions de fonctionnement, cette solution de mémoire non volatile est idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications exigeant une rétention de données fiable et une endurance élevée en cycles d'écriture.

Principales caractéristiques et avantages

• Haute endurance : la technologie FRAM offre des cycles d'écriture pratiquement illimités (10¹⁵ cycles de lecture/écriture).
• Accès rapide : temps d’accès de 20 ns avec une fréquence d’horloge SPI de 20 MHz.
• Faible consommation : Consommation d'énergie nettement inférieure à celle de l'EEPROM lors des opérations d'écriture
• Large plage de tension : tension d’alimentation de 3 V à 5,5 V pour une intégration système flexible
• Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
• Boîtier compact : boîtier de montage en surface SOIC 8 broches (largeur de 3,90 mm)
• Conforme à la directive RoHS : fabrication respectueuse de l’environnement et sans plomb

Applications

Idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations, la conservation de paramètres, les compteurs d'événements et les systèmes critiques nécessitant une mémoire non volatile avec une capacité d'écriture instantanée et une endurance illimitée.

Authenticité garantie

Nous nous approvisionnons directement auprès de distributeurs agréés et fournissons la documentation complète du fabricant, la traçabilité et un support technique à long terme. Chaque unité est livrée avec sa fiche technique complète et sa certification.

Spécifications techniques complètes

• MB85RS64VPNF-G-AMERE2.pdf