MS85R4M2TAFN-G-JAE2

RAMXEED MS85R4M2TAFN-G-JAE2 - Mémoire FRAM parallèle de 4 Mbit

Solution de mémoire vive ferroélectrique (FRAM) haute performance offrant une mémoire non volatile à vitesse d'écriture rapide et à endurance exceptionnelle. La MS85R4M2TAFN-G-JAE2 combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications exigeant une conservation fiable des données.

Caractéristiques principales

• Capacité de mémoire FRAM de 4 Mbit organisée en 256 Ko x 16 pour un stockage de données flexible
• Un temps d'accès ultra-rapide de 125 ns permet des opérations de lecture/écriture à haute vitesse.
• Interface parallèle pour une intégration simple avec les systèmes existants
• La large plage de tension (1,8 V - 3,6 V) prend en charge diverses architectures d'alimentation.
• Plage de températures étendue (-40 °C à 105 °C) pour les environnements difficiles
• Boîtier CMS 44-TSOP optimisé pour l'assemblage automatisé
• Conforme à la directive RoHS et respectant les normes environnementales

Applications

Idéale pour les systèmes critiques nécessitant un enregistrement instantané des données, le stockage de la configuration ou l'enregistrement d'événements, sans les délais d'écriture des mémoires Flash traditionnelles. Couramment utilisée dans l'automatisation industrielle, les compteurs intelligents, les dispositifs médicaux et les systèmes de contrôle embarqués.

Authenticité garantie

Provenant directement de distributeurs agréés, chaque unité est livrée avec une documentation complète du fabricant et une traçabilité intégrale, ainsi que sa fiche technique et son certificat de conformité.

Spécifications techniques complètes

• MS85R4M2TAFN-G-JAE2.pdf