MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E

Mémoire flash NAND 1 Gbit haute fiabilité Micron MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E

La puce Micron MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E est une mémoire Flash NAND 1 gigabit haut de gamme conçue pour les applications embarquées critiques exigeant une fiabilité et des performances exceptionnelles. Cette solution de mémoire non volatile de qualité industrielle dispose d'une interface parallèle avec une organisation de 128 Mbits x 8, ce qui la rend idéale pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : capacité de 1 Gbit (128 mégaoctets) pour les applications gourmandes en données
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C pour les environnements difficiles.
• Interface parallèle : accès mémoire rapide et direct pour les systèmes temps réel
• Encombrement réduit : Boîtier 63-VFBGA (9 x 11 mm) compact pour les circuits imprimés à forte densité.
• Large plage de tension : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une conception d’alimentation flexible
• Technologie de montage en surface : fabrication et assemblage simplifiés
• Conforme à la directive RoHS : construction respectueuse de l'environnement et sans plomb

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire flash NAND est parfaitement adapté pour :

• Stockage du micrologiciel du système embarqué et code de démarrage
• Enregistrement des données dans les systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Plateformes d'infodivertissement et de télématique automobile
• conservation des données des dispositifs médicaux
• équipement d'infrastructure de télécommunications
• Systèmes critiques pour les missions aérospatiales et de défense

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