MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Micron MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR - Circuit intégré de mémoire flash NAND 1 Gbit
Le MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire Flash NAND 1 Gbit haute fiabilité, conçu pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant industriel dispose d'une interface parallèle 128 Mbit/s x 8 et fonctionne dans une plage de températures étendue, de -40 °C à 105 °C, ce qui le rend idéal pour les environnements exigeants.
En tant que distributeur agréé, HQICKEY garantit la traçabilité et l'authenticité complètes des composants de tous les produits de mémoire Micron. Ce circuit intégré NAND Flash est fourni dans un boîtier CMS compact 63-VFBGA (9x11), optimisé pour les conceptions à espace restreint nécessitant des solutions de stockage non volatiles.
Caractéristiques et spécifications principales
Applications et cas d'utilisation
Ce circuit intégré de mémoire flash NAND est conçu pour les applications à haute fiabilité, notamment les systèmes embarqués, l'acquisition de données, le stockage de micrologiciels et l'exécution de code dans les contrôleurs industriels. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste le rendent idéal pour les calculateurs automobiles, l'avionique aérospatiale, les dispositifs médicaux et les infrastructures de télécommunications.
Pourquoi choisir HQICKEY ?
HQICKEY entretient des relations de distribution agréées avec les principaux fabricants de semi-conducteurs, garantissant ainsi l'authenticité des composants et une traçabilité complète. Notre réseau logistique mondial assure un approvisionnement en flux tendu pour les équipementiers et les sous-traitants du monde entier, avec un support technique et un accès à des fiches techniques et des notes d'application détaillées.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
| RoHS |

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