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Micron Technology Inc.

MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR

Prix habituel €2,95
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €2,95 EUR €2,95 EUR
15+ €2,71 EUR €40,65 EUR
25+ €2,66 EUR €66,50 EUR
50+ €2,51 EUR €125,50 EUR
100+ €2,21 EUR €221,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

La puce Micron MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR est une mémoire flash NAND 1 Gbit haute fiabilité conçue pour les systèmes embarqués critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire flash non volatile dispose d'une architecture 128 Mbits x 8 avec interface parallèle, garantissant des performances fiables même dans les environnements les plus exigeants.

Caractéristiques principales :

  • Capacité de mémoire flash NAND de 1 Gbit (128 Mo x 8)
  • Interface parallèle pour l'accès aux données à haut débit
  • Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 85 °C
  • Tension d'alimentation : 2,7 V à 3,6 V
  • Boîtier compact 63-VFBGA (9x11) pour montage en surface
  • Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale
  • Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé

Applications : Idéal pour les systèmes de contrôle de vol aérospatiaux, les calculateurs automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, l'enregistrement de données de dispositifs médicaux, l'infrastructure de télécommunications et tout système embarqué nécessitant un stockage non volatil fiable dans des conditions de fonctionnement difficiles.

Spécifications techniques :

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Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs haute fiabilité pour les applications critiques. Notre vaste gamme comprend des solutions de mémoire haut de gamme de fabricants leaders comme Micron Technology, vous garantissant des composants authentiques et testés, avec une traçabilité complète et un support technique.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Micron Technology Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NAND
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 128M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 63-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 63-VFBGA (9x11)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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