-
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
MT29F1G08ABCHC:C TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
Impossible de charger la disponibilité du service de retrait
Mémoire flash NAND 1 Gbit haute fiabilité Micron MT29F1G08ABCHC:C TR
La mémoire MT29F1G08ABCHC:C TR de Micron Technology offre des performances et une fiabilité exceptionnelles pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette mémoire Flash NAND de 1 Gbit, organisée en 128 Mbits x 8 avec interface parallèle, est conçue pour répondre aux exigences élevées des systèmes professionnels.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : une capacité de 1 Gbit offre un espace suffisant pour les données et le micrologiciel du système embarqué.
- Interface parallèle : permet un transfert de données rapide et efficace pour les applications sensibles au temps.
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C en milieu industriel.
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 63-VFBGA (10,5 x 13 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire flash NAND haute fiabilité est conçue pour les applications exigeantes telles que les systèmes embarqués, l'acquisition de données, le stockage de microprogrammes, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les équipements de télécommunications. Son architecture non volatile garantit la conservation des données même en cas de coupure de courant, ce qui la rend idéale pour les opérations critiques des systèmes.
Qualité et conformité
Fabriqué par Micron Technology Inc., leader mondial des solutions pour semi-conducteurs, le MT29F1G08ABCHC:C TR répond aux normes de qualité les plus strictes et aux exigences environnementales de la directive RoHS. Chaque unité est conditionnée en bande et bobine pour les processus d'assemblage automatisés.
Produits associés
Découvrez notre gamme complète de produits de mémoire pour des solutions de stockage supplémentaires. Visitez notre page d'accueil pour consulter notre catalogue complet de semi-conducteurs haute fiabilité, ou consultez notre blog technique pour les dernières analyses du secteur et des notes d'application.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-VFBGA (10,5x13) |
| RoHS |  |
No datasheet available. Please contact sales@hqickey.com for the latest datasheet.
