MT29F1G08ABCHC-ET:C TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Micron MT29F1G08ABCHC-ET:C TR - Circuit intégré de mémoire flash NAND 1 Gbit
Le MT29F1G08ABCHC-ET:C TR de Micron Technology est une solution de mémoire Flash NAND 1 Gbit haute performance conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce circuit intégré à montage en surface (CMS) intègre une mémoire de 128 Mbits x 8 bits avec interface parallèle, offrant un stockage non volatil fiable dans un boîtier compact 63-VFBGA.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : mémoire flash NAND de 1 Gbit (128 Mo x 8) pour une conservation robuste des données
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
- Interface parallèle : intégration rapide et simple avec les systèmes anciens et modernes
- Encombrement réduit : boîtier 63-VFBGA (10,5 x 13 mm) optimisé pour les conceptions à espace restreint
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V pour une consommation d’énergie réduite.
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Spécifications techniques
Applications
Cette puce de mémoire Flash NAND est idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable et haute densité, notamment les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et l'avionique aérospatiale. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste la rendent adaptée aux environnements exigeants où l'intégrité des données est primordiale.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-VFBGA (10,5x13) |
| RoHS |
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