MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR

Micron MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR - Circuit intégré de mémoire flash NAND 1 Gbit

Le MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR de Micron Technology Inc. est un circuit intégré de mémoire Flash NAND 1 Gbit haute performance conçu pour les applications critiques exigeant un stockage non volatil fiable. Ce composant de qualité industrielle dispose d'une interface parallèle et d'une organisation mémoire de 64 Mbits x 16, ce qui le rend idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des applications embarquées.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : capacité de 1 Gbit (128 Mo) dans un boîtier compact 63-VFBGA
• Interface parallèle : accès rapide aux données grâce à une organisation de la mémoire de 64 Mo x 16.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA)
• Faible consommation d'énergie : tension d'alimentation de 1,7 V à 1,95 V pour un fonctionnement écoénergétique
• Technologie de montage en surface : boîtier 63-VFBGA (9x11) pour les conceptions à espace restreint
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire flash NAND est parfaitement adapté pour :

• Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant un stockage à haute fiabilité
• Applications d'infodivertissement et de systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
• Infrastructure de télécommunications
• Systèmes embarqués et dispositifs IoT

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