MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR

Micron MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR - Circuit intégré de mémoire flash NAND 1 Gbit

La mémoire flash NAND MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR de Micron Technology est une solution haute performance de 1 Gbit conçue pour les applications industrielles, automobiles et de systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable. Ce composant semi-conducteur authentique dispose d'une organisation mémoire de 64 Mbits x 16 avec interface parallèle, ce qui le rend idéal pour l'enregistrement de données, le stockage de firmware et l'exécution de code dans des environnements critiques.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : capacité de 1 Gbit (128 Mo) dans un boîtier compact 130-VFBGA
• Large plage de fonctionnement : -40 °C à 85 °C (niveau de température industriel)
• Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V pour des conceptions écoénergétiques
• Interface parallèle : accès rapide aux données grâce à une architecture de bus 16 bits.
• Montage en surface : 130-VFBGA (8 x 9 mm) pour les circuits imprimés à espace restreint
• Conforme à la directive RoHS : fabrication respectueuse de l’environnement et sans plomb

Applications cibles

Ce circuit intégré de mémoire flash NAND est conçu pour les applications exigeantes, notamment les contrôleurs industriels, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les dispositifs médicaux, l'informatique de périphérie IoT, les équipements de télécommunications et le stockage de microprogrammes embarqués, où la disponibilité à long terme et l'approvisionnement authentique sont essentiels.

Spécifications techniques

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