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MT29F1G16ABCHC-ET:C TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire flash NAND 1 Gbit haute fiabilité Micron MT29F1G16ABCHC-ET:C TR
Le MT29F1G16ABCHC-ET:C TR de Micron Technology Inc. est un circuit intégré de mémoire flash NAND 1 Gbit haute performance conçu pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Cette solution de mémoire non volatile offre un stockage de données fiable grâce à une architecture d'interface parallèle 64 Mbit/s x 16.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de mémoire de 1 Gbit : stockage suffisant pour les systèmes embarqués et les applications d’enregistrement de données.
- Interface parallèle : accès rapide aux données grâce à une organisation de la mémoire de 64 Mo x 16.
- Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 85 °C (TA) pour une utilisation en environnements difficiles
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V pour des conceptions économes en énergie
- Boîtier CMS : format compact 63-VFBGA (10,5 x 13 mm) pour les circuits imprimés à espace restreint
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire flash NAND est conçu pour des applications exigeantes, notamment :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Calculateurs automobiles et plateformes d'infodivertissement
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- stockage de données des dispositifs médicaux
- Infrastructure de télécommunications
- Systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-VFBGA (10,5x13) |
| RoHS |  |
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