MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
Impossible de charger la disponibilité du service de retrait
Micron MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR - Circuit intégré de mémoire flash NAND 2 Gbit
La mémoire flash NAND MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR de Micron Technology est une solution de haute fiabilité de 2 Gbits conçue pour les applications critiques des secteurs industriel, automobile, médical et aérospatial. Ce composant offre un stockage non volatil éprouvé, un support technique étendu et une traçabilité complète assurée par un distributeur agréé.
Principales caractéristiques techniques :
- Architecture de mémoire flash NAND 2 Gbit (256 Mo x 8) - Mémoire non volatile haute densité avec interface parallèle pour un accès rapide aux données
- Plage de températures industrielles : -40 °C à 105 °C (TA) - Conçu pour les environnements d'exploitation difficiles et les conditions extrêmes
- Boîtier compact 63-VFBGA (9x11) - Conception à montage en surface peu encombrante, idéale pour les systèmes embarqués
- Tension d'alimentation flexible : 2,7 V à 3,6 V - Compatible avec diverses architectures d'alimentation
- Conforme aux normes RoHS/REACH - Répond aux normes environnementales et de sécurité internationales
- Conditionnement en bande et bobine (TR) - Prêt pour la production en vue d'un assemblage automatisé de prélèvement et de placement
Applications cibles :
Conçu pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les équipements de diagnostic médical, les infrastructures de télécommunications, l'avionique aérospatiale et toute application exigeant un stockage de données non volatiles fiable avec une disponibilité à long terme garantie et une traçabilité complète de la chaîne d'approvisionnement.
Pourquoi choisir ce composant :
- Distribution autorisée avec documentation du fabricant et engagement de cycle de vie
- Traçabilité complète et certification de conformité disponibles
- Assistance tout au long du cycle de vie pour une conception en toute confiance
- Fiabilité éprouvée dans des environnements industriels exigeants
Spécifications techniques complètes :
Toutes les spécifications sont fournies par le fabricant et soumises à ses conditions. La documentation complète de traçabilité est disponible sur demande.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
| RoHS |

MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR.pdf