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MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR
Prix habituel
€82.002,95
Prix habituel
Prix promotionnel
€82.002,95
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €82.002,95 EUR | €82.002,95 EUR |
| 15+ | €75.442,71 EUR | €1.131.640,65 EUR |
| 25+ | €73.802,66 EUR | €1.845.066,50 EUR |
| 50+ | €69.702,51 EUR | €3.485.125,50 EUR |
| 100+ | €61.502,21 EUR | €6.150.221,00 EUR |
| N+ | €12.300,44 EUR | Price Inquiry |
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Recycling Electronic Components
Micron MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR - Circuit intégré de mémoire flash NAND 2 Gbit
Le MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR de Micron Technology est un circuit intégré de mémoire flash NAND 2 Gbit haute fiabilité conçu pour les applications industrielles nécessitant une disponibilité à long terme et des performances robustes sur des plages de température étendues.
Caractéristiques principales :
- Capacité de mémoire de 2 Gbit - Organisation 256 Mo x 8 pour un stockage de données flexible
- Interface parallèle - Technologie d'interface éprouvée pour une communication fiable
- Plage de températures industrielles - Fonctionne de -40 °C à 85 °C pour les environnements exigeants
- Boîtier CMS 63-VFBGA - Format compact 9 x 11 mm pour les conceptions à espace restreint
- Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales des marchés mondiaux
- Large plage de tension d'alimentation : fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V pour une plus grande flexibilité de conception
Applications :
Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications, où le support et la traçabilité tout au long du cycle de vie sont essentiels.
Spécifications techniques complètes :
Distributeur agréé – Traçabilité complète, spécifications du fabricant d'origine et engagement sur un long cycle de vie garantis.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
| RoHS |  |
MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR.pdf
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