MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E TR

Micron MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E TR - Circuit intégré de mémoire flash NAND 2 Gbit

Mémoire Flash NAND 2 Gbit haute fiabilité de Micron Technology, conçue pour les applications industrielles exigeant une longue durée de vie et une traçabilité complète. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre une architecture 256 Mbits x 8 dans un boîtier TSOP I 48 broches à montage en surface, idéal pour les systèmes embarqués des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications.

Caractéristiques principales :

• Capacité de mémoire de 2 Gbit - Organisation 256 Mo x 8 pour un stockage de données flexible
• Plage de températures industrielles - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C
• Interface parallèle - Interface mémoire flash NAND standard pour une large compatibilité
• Boîtier CMS - 48-TSOP I (largeur 18,40 mm) pour assemblage automatisé
• Plage de tension étendue : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V
• Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales des marchés mondiaux

Applications :

Idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil à longue disponibilité, notamment les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et les systèmes aérospatiaux.

Qualité et conformité :

En tant que distributeur agréé, nous fournissons une documentation complète de traçabilité, les spécifications du fabricant et les certifications de conformité (RoHS/REACH). Tous les composants proviennent directement de Micron Technology, garantissant leur authenticité et un support technique à long terme.

Spécifications techniques complètes :

• MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E TR.pdf