MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E

Micron MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E - Circuit intégré de mémoire flash NAND 2 Gbit

La MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E de Micron Technology Inc. est une solution de mémoire flash NAND 2 Gbit haute fiabilité conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et du médical. Ce circuit intégré de mémoire flash NAND à interface parallèle offre des performances exceptionnelles et une excellente rétention des données pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 2 Gbit (256 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le micrologiciel, l’enregistrement de données et les applications embarquées.
• Large plage de fonctionnement : La plage de températures de qualité industrielle (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
• Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimise l'efficacité énergétique pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
• Interface parallèle : intégration rapide et simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
• Format compact : le boîtier CMS 63-VFBGA (9 x 11 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
• Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire flash NAND est idéal pour :

• Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
• calculateurs automobiles et systèmes d'infodivertissement
• Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
• Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
• Infrastructure de télécommunications
• Stockage du firmware embarqué et code de démarrage
• enregistreurs de données et boîtes noires

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