MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR

Mémoire flash NAND 2 Gbit haute fiabilité Micron MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR

La mémoire flash NAND MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR de Micron Technology est une solution haut de gamme de 2 Gbits conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et du médical. Cette mémoire flash à interface parallèle haute performance offre une fiabilité et une rétention des données exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 2 Gbit (256 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le micrologiciel, l’enregistrement des données et les configurations système.
• Fiabilité de niveau industriel : une plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) garantit des performances constantes même dans des environnements difficiles.
• Faible consommation d'énergie : la tension d'alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimise l'efficacité énergétique des applications alimentées par batterie et embarquées.
• Interface parallèle : intégration rapide et simple avec les architectures de microcontrôleurs anciennes et modernes.
• Boîtier CMS : Son format compact 63-VFBGA (9 x 11 mm) optimise l'espace sur la carte.
• Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et toute application nécessitant un stockage de données non volatiles fiable avec un fonctionnement à température étendue.

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