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MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €82.005,95 EUR | €82.005,95 EUR |
| 15+ | €75.445,47 EUR | €1.131.682,05 EUR |
| 25+ | €73.805,36 EUR | €1.845.134,00 EUR |
| 50+ | €69.705,06 EUR | €3.485.253,00 EUR |
| 100+ | €61.504,46 EUR | €6.150.446,00 EUR |
| N+ | €12.300,89 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire flash NAND Micron MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR - 2 Gbit
La MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR de Micron Technology est une solution de mémoire flash NAND parallèle 2 Gbit haute fiabilité conçue pour les applications industrielles nécessitant un support de cycle de vie long et des performances éprouvées dans des environnements exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de mémoire de 2 Gbit - L'organisation 256 Mo x 8 offre un espace de stockage suffisant pour les systèmes embarqués.
- Plage de températures industrielles - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Interface parallèle - Intégration rapide et simple avec les conceptions existantes et nouvelles
- Fonctionnement à basse tension - Tension d'alimentation de 1,7 V à 1,95 V pour les applications à faible consommation d'énergie
- Boîtier CMS (composant monté en surface) - Format compact 63-VFBGA (9 x 11 mm) pour un gain de place sur la carte.
- Conditionnement en bande et bobine - Prêt pour les processus d'assemblage automatisés
Applications idéales
Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des équipements de télécommunications et des dispositifs médicaux où la fiabilité, la traçabilité et la disponibilité à long terme sont des exigences essentielles.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir ce composant ?
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Micron authentiques avec une traçabilité complète, un support technique et une gestion du cycle de vie. Cette mémoire flash NAND de qualité industrielle offre la fiabilité et la longévité requises par vos applications critiques.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
| RoHS |  |
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR.pdf