MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L

Mémoire flash NAND Micron MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L - 2 Gbits

La mémoire flash NAND MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L de Micron Technology est un dispositif haute performance de 2 Gbits conçu pour les applications embarquées et industrielles exigeant un stockage non volatil fiable. Cette mémoire flash à interface parallèle dispose d'une organisation de 256 Mo x 8, ce qui la rend idéale pour l'enregistrement de données, le stockage de firmware et l'exécution de code dans les environnements à espace restreint.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité de stockage de 2 Gbit : mémoire non volatile suffisante pour les applications embarquées
• Interface parallèle : transfert de données rapide et intégration simple
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V pour des conceptions économes en énergie
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C
• Boîtier CMS (Composant Monté en Surface) : Format compact pour les applications où l'espace est limité
• Qualité Micron authentique : Composants d’origine avec assistance complète tout au long du cycle de vie

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire flash NAND est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux appareils IoT et à toute application nécessitant un stockage non volatil fiable et haute densité avec compatibilité d'interface parallèle.

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